在上一篇文章中，我們簡單介紹了 DRAM 與 SRAM 的基本工作原理，並以最基礎的 1-bit 儲存單元為例。讀者反應熱烈，今天我們繼續深入探討 RAM（Random Access Memory）的組織架構，這將為後續了解各類 RAM 的實際運作奠定基礎。
無論是 SRAM 還是 DRAM，每個基本儲存單元只能儲存 0 或 1。早期的記憶體晶片（如 IDT6167、Intel 2188）僅有 Din（資料輸入）與 Dout（資料輸出）腳位，而 CPU 存取資料的單位是位元組（8 bits）。為了滿足這項需求，必須將 8 顆 1-bit 的 RAM 晶片堆疊在一起，共享相同的位址總線，形成一個 8-bit 寬度的儲存模組。
這 8 顆晶片透過位址總線與資料總線在 PCB（印刷電路板）上並聯，對 CPU 而言，它們就是一顆 8-bit 寬的 RAM 晶片。以位址總線 22-bit 為例，可定址空間為 2^22 = 4,194,304 bits，即 4 Mbits（512 KB）；資料總線 8-bit 則由 8 顆晶片的 Dout 並聯實現。這類模組稱為 4M×8 模組（注意此處「M」指 Mbit 而非 MByte）。
以德州儀器（TI）的 TM4100GAD8 為例，這是一款基於 4M×8 模組製造、容量 4 MB、採用 30 腳 SIMM 封裝的記憶體。它實際上由 8 顆 4M×1 DRAM 顆粒組成。電路圖顯示，所有顆粒共享 /RAS、/CAS、/W 等控制訊號與位址總線，各自擁有獨立的 DQ（資料輸入/輸出）腳位，VCC 與 VSS 提供 5V 電源。這樣的設計讓 CPU 能一次讀寫 8 bits 資料。
早期的 8-bit 記憶體已難見蹤影，現代系統常見 32-bit、64-bit 甚至 128-bit 寬度。單純增加晶片數量並不足夠，必須引入 Bank（庫）概念。一個 Bank 由多個模組組成。例如，4 組 8-bit 模組（每組 4M×8，即 4 MB）可構成一個 32-bit 寬、容量 16 MB 的 Bank。資料儲存時採用交錯方式：模組 1 存第 1 位元組、模組 2 存第 2 位元組……以此類推，循環直至達到最大容量。
增加總容量有兩種途徑：提升單一模組容量，或增加 Bank 數量。例如將 16 MB 擴充至 32 MB，可將每模組從 4 MB 增至 8 MB，或保持模組容量不變而增加 Bank 數。
SIMM（Single Inline Memory Module）與 DIMM（Dual Inline Memory Module）是記憶體條的封裝形式，而非晶片封裝。早期記憶體晶片直接焊在主板上，故障難修；後來出現插槽，但熱脹冷縮導致接觸不良。SIMM/DIMM 透過金手指與主板溝通，解決了上述問題。
30 腳 SIMM 僅能傳輸 8-bit 資料，位址線 11 條、資料線 8 條，其餘為控制線與 NC（空腳）。72 腳 SIMM 資料總線寬度擴展至 32-bit，容量更大，效能顯著提升。SIMM 依晶片分佈可分單面與雙面，1/4/16 MB 多為單面，更大容量則為雙面。
DIMM 是當前主流，如 SDRAM、DDR SDRAM、RDRAM。以 168 腳 SDRAM 為例，提供 64-bit 定址能力，工作電壓 3.3V 或 5V，分非緩衝與緩衝兩種。得益於製程進步，現代高密度 DRAM 晶片可內建多組 Din/Dout 腳位（4、8、16、32、64-bit），大幅減少所需晶片數量。例如，若使用 1M×8-bit 晶片，僅需 4 顆即可組成 4 MB、32-bit 寬度的模組，降低功耗與製程複雜度。
這兩款 4 MB、32-bit 寬度的 DRAM 模組展示了不同組織方式。TM124BBJ32F 採用 2 顆 2M×16-bit 晶片（單面），透過 RAS0/RAS1 分別控制 DQ0-15 與 DQ16-31，每次傳輸 16 bits。TM248CBJ32F 則用 4 顆 1M×8-bit 晶片（雙面），RAS0-3 分別對應 DQ0-7、8-15、16-23、24-31，每次傳輸 8 bits。雖然控制邏輯略異，但皆能滿足 32-bit 存取需求。
理解這些基礎架構，有助於後續深入探討現代記憶體技術（如 SDRAM、DDR 系列）的運作原理。
