選用電晶體(BJT)時,必須掌握其類型、材質與關鍵極限參數,才能確保電路可靠運作。本文系統整理選型依據,涵蓋小訊號放大、開關驅動與大功率應用場景。
VBE(on) ≈ 0.2 V,適合低電壓、微功耗場合。VBE(on) ≈ 0.6–0.7 V,耐溫、耐壓佳,主流選擇。| 符號 | 名稱 | 意義 | 設計準則 |
|---|---|---|---|
ICM | 集電極最大電流 | β 個始下降的臨界電流 | 實際 IC ≤ 0.5~0.8 ICM |
BVCEO | 集電極-發射極擊穿電壓(基極開路) | 超過將永久損壞 | 感性負載需考慮 2–8 倍電壓尖峰 |
PCM | 集電極最大耗散功率 | 發熱極限,大功率管需散熱片 | 實際 PC ≤ 0.5 PCM,留足餘裕 |
fT | 特徵頻率(β=1 時) | 高頻放大能力指標 | 工作頻率 ≤ fT/3 |
fT;VHF/UHF 需高頻管(fT > 3×fwork)。BVCEO:> 電源最高電壓;感性負載預留尖峰裕度。IC 與 PC:驅動繼電器、喇叭時必須試算,PC = VCE × IC。fT 非首要考量。PCM ≈ 100–500 mW,ICM ≈ 50–500 mA。PCM ≤ 1 W,ICM ≤ 1.5 A。VBE 需求 → 鍺管。VBE < V(BR)EBO,滿足散熱條件。